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高速埋入式动态随机存取存储器的通用位线预充电时间的控制

摘要

本发明提供了一种操作存储器的方法,包含在存储器单元上执行写入操作及读取操作。写入操作包含:在通用位线(GBL)上开始第一通用位线预充电;以及在第一通用位线预充电开始后,启动一字线写入存储器单元,其中开始第一通用位线预充电以及启动字线的步骤具有第一时间间隔。读取操作包含:在通用位线上开始第二通用位线预充电;以及在第二通用位线预充电开始后,启动字线自存储器单元读取,其中开始第二通用位线预充电以及启动字线的步骤具有一第二时间间隔。第一时间间隔大于第二时间间隔。

著录项

  • 公开/公告号CN101447224B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200810176060.3

  • 发明设计人 库奥尤安·许;王兵;金英奭;

    申请日2008-11-07

  • 分类号G11C11/409(20060101);

  • 代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人章社杲;吴贵明

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-05-22

    授权

    授权

  • 2009-07-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-06-03

    公开

    公开

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