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无定形碳氮膜的形成方法、无定形碳氮膜、多层抗蚀剂膜、半导体装置的制造方法

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本发明形成一种耐蚀刻性优异且在曝光抗蚀剂膜时能够降低反射率的无定形碳膜。在半导体装置的制造方法中，包括：在晶片上形成蚀刻对象膜的工序，在处理容器内供给含有CO气体和N

著录项

公开/公告号CN102112651B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-05-22

原文格式PDF
申请/专利权人东京毅力科创株式会社;
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申请/专利号CN200980130664.7
发明设计人石川拓;西村荣一;
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申请日2009-06-30
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人苗堃
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:14:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-08-26

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/36 授权公告日:20130522 终止日期:20140630 申请日:20090630

专利权的终止
2013-05-22

授权

授权
2011-08-10

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/36 申请日:20090630

实质审查的生效
2011-06-29

公开

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