首页> 中国专利> 多孔碳化硅表面单层、b轴取向ZSM-5沸石涂层材料的制备方法

多孔碳化硅表面单层、b轴取向ZSM-5沸石涂层材料的制备方法

摘要

本发明属于结构催化剂及其应用技术领域,具体为一种多孔碳化硅载体表面单层、b轴取向ZSM-5型沸石涂层材料的制备方法。该结构催化剂以泡沫碳化硅或蜂窝结构碳化硅为载体,载体外表面有一层碳化硅颗粒搭接形成的多孔层,沸石涂层均匀生长于多孔层内。沸石涂层为单层结构,沸石晶体b轴垂直于碳化硅载体表面。该方法预先在碳化硅陶瓷表面原位生长一层晶种胶体,控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量,实现沸石晶体在碳化硅载体表面的可控生长。该结构催化剂孔道开放,分子扩散性能好,比表面积及负载量较大,沸石晶体与碳化硅载体接触面积大,有利于强化传质、传热,缩短反应物与反应产物与催化剂的接触时间。

著录项

  • 公开/公告号CN102274744B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院金属研究所;

    申请/专利号CN201010199076.3

  • 发明设计人 张劲松;矫义来;杨振明;田冲;

    申请日2010-06-12

  • 分类号B01J29/40(20060101);B01J35/10(20060101);B01J35/04(20060101);B01J37/02(20060101);C04B41/85(20060101);C30B7/10(20060101);C30B29/34(20060101);C07C1/20(20060101);C07C11/00(20060101);

  • 代理机构21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司;

  • 代理人张志伟

  • 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-05-22

    授权

    授权

  • 2012-02-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 29/40 申请日:20100612

    实质审查的生效

  • 2011-12-14

    公开

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