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一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法,首先通过LB膜方法获得导电聚合物单体有序薄膜,然后通过刻蚀方法在单体薄膜上得到聚合物单体有序化阵列结构,最后采用化学原位聚合的方法获得导电聚合物有序微/纳米结构阵列。该方法所制备的聚合物微/纳米结构阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷,并且制备方法合理简单,易于操作。

著录项

  • 公开/公告号CN102412016B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201110191364.9

  • 发明设计人 杨亚杰;蒋亚东;徐建华;

    申请日2011-07-09

  • 分类号

  • 代理机构成都华典专利事务所(普通合伙);

  • 代理人杨保刚

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-05-01

    授权

    授权

  • 2012-05-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20110709

    实质审查的生效

  • 2012-04-11

    公开

    公开

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