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有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料及其制备方法,属于介孔分子筛荧光纳米材料技术领域。本发明的有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料,其特征在于,孔径尺寸为3~30nm,孔容>0.5cm3g-1,比表面积>500m2g-1,有机荧光分子单分散共价嫁接在有序介孔二氧化硅基体的孔道内壁。本发明通过有机荧光官能团单分散共价嫁接在有序介孔二氧化硅基体的孔道内壁,制备得到的荧光材料具有高的嫁接率(可高达0.2个荧光官能团m-2)、高的荧光量子产率(大于80%)和优良的光稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN101525533B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN200910047888.3

  • 发明设计人 何前军;施剑林;陈雨;崔方明;

    申请日2009-03-20

  • 分类号C09K11/06(20060101);C09K11/59(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 200050 上海市定西路1295号

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09K 11/06 授权公告日:20130417 终止日期:20180320 申请日:20090320

    专利权的终止

  • 2013-04-17

    授权

    授权

  • 2013-04-17

    授权

    授权

  • 2009-11-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-11-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-09-09

    公开

    公开

  • 2009-09-09

    公开

    公开

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