一种大面积、高度均匀有序量子点阵列制造方法

摘要

本发明涉及一种大面积、高度均匀有序量子点阵列制造方法。其方法为：它采用软紫外纳米压印光刻UV-NIL和感应耦合等离子体刻蚀ICP工艺在衬底上制备出纳米孔图形阵列；以制备的图形化衬底为模板，使用金属有机化学气相沉积系统MOCVD自组织生长量子点。本发明实现了大面积、高度均匀有序量子点阵列的低成本、一致性和批量化制备，可应用于量子点激光器、量子点存储器、量子点太阳能电池、量子点LED、单光子发射器等器件的制造。