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一种提高等离子体径向均匀性的等离子体腔室

摘要

本发明公开了一种提高等离子体径向均匀性的等离子体腔室,包括上方放置线圈的真空腔室以及下方的气体反应腔室,上下两腔室由中间介质窗隔开;气体反应腔室内设有静电卡盘,用于固定晶圆;气体反应腔室的基底连接下射频偏压组件,用以在晶圆表面形成偏压电场;介质窗采用中心下凹,一周凸起的阶梯型结构,阶梯位于所能刻蚀的最大晶圆的边缘的正上方,用于提升晶圆边缘等离子体数,减少从晶圆中心到边缘的等离子体数目的差异;线圈包括内线圈和外线圈,内线圈位于质窗下凹位置,外线圈位于质窗上凸位置;线圈相对介质窗的垂直距离可调,用于改变气体反应处射频功率耦合等离子体的深度,从而改善反应腔室内等离子体的均匀性。

著录项

  • 公开/公告号CN115565843A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023-01-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京理工大学;

    申请/专利号CN202211224766.9

  • 发明设计人 黄振贵;陈高捷;

    申请日2022-10-09

  • 分类号H01J37/32;

  • 代理机构南京理工大学专利中心;

  • 代理人汪清

  • 地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200号

  • 入库时间 2023-06-19 18:11:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-03

    公开

    发明专利申请公布

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