半导体制造设备环境参数检测方法

摘要

本发明实施例涉及半导体制造设备环境参数检测方法。本发明实施例公开一种监测半导体制造设备的方法及一种半导体制造设备。所述方法包含通过多个气体管线收集无尘室中的环境空气，其中所述多个气体管线的进气口布置于所述无尘室中的多个取样位置处。所述方法还包含由连接到所述气体管线的多个计量装置测量所述环境空气的参数。同时测量所述取样位置中的至少两者。所述方法进一步包含在由所述计量装置检测的所述参数超出可接受值的范围时发出警告。