硅基PIN光电二极管制作方法及其硅基PIN光电二极管

摘要

本发明公开了硅基PIN光电二极管制作方法及其硅基PIN光电二极管，其中，硅基PIN光电二极管制作方法，包括以下步骤：S1、氧化：氧化硅基晶圆，形成SiO2薄膜层；S2、一次光刻：光刻光敏区区域；S3、硼扩散：掺杂光敏区并进行硼扩散处理；S4、LPCVD：采用LPCVD淀积Si3N4薄膜，形成Si3N4薄膜层；S5、二次光刻：光刻保护环区域。通过本发明的技术方案，可以提高光电二极管响应度以及降低暗电流，从而提高硅基光电二极管的光电性能，满足不断提高的应用需求。