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等离子体约束环、等离子体处理设备及处理半导体的方法

摘要

本发明公开了一种等离子体约束环、等离子体处理设备及处理半导体的方法,所述等离子体约束环设置在等离子体处理设备的反应腔内,等离子体约束环包括环形侧壁和与环形侧壁固定连接的气体通道壁;环形侧壁放置于支撑环上,支撑环与反应腔的侧壁固定;隔热缝隙,其设置在环形侧壁中,用于减慢热量从气体通道壁向反应腔的侧壁传递。本发明使得等离子约束环的温度达到预设的温度并保持,由此实现防止聚合物沉积的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN115547799A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-12-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中微半导体设备(上海)股份有限公司;

    申请/专利号CN202110723909.X

  • 发明设计人 叶如彬;

    申请日2021-06-29

  • 分类号H01J37/32;H01L21/3065;

  • 代理机构上海元好知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐雯琼;张静洁

  • 地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

  • 入库时间 2023-06-19 18:06:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-30

    公开

    发明专利申请公布

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