公开/公告号CN115547799A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-12-30
原文格式PDF
申请/专利权人 中微半导体设备(上海)股份有限公司;
申请/专利号CN202110723909.X
发明设计人 叶如彬;
申请日2021-06-29
分类号H01J37/32;H01L21/3065;
代理机构上海元好知识产权代理有限公司;
代理人徐雯琼;张静洁
地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
入库时间 2023-06-19 18:06:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-30
公开
发明专利申请公布
机译: 用于原位清洁的等离子体清洁环,包括等离子体环的等离子体处理设备,包括等离子体清洁环的等离子体处理系统以及使用等离子体清洁环的等离子体处理方法
机译: 用于处理晶片边缘的等离子体处理设备,用于等离子体处理的绝缘板,用于等离子体处理的底部电极,对晶片边缘进行等离子体处理的方法以及使用该方法制造半导体器件的方法
机译: 等离子体处理设备的检查方法,检查设备,等离子体处理设备,等离子体处理设备的清洁方法以及半导体设备的制造方法