一种改善超重掺Ph衬底外延边缘平坦区深度的工艺方法

摘要

本发明公开了一种改善超重掺Ph衬底外延边缘平坦区深度的工艺方法，其改善工艺方法包括以下步骤：S1、首先在进行超重掺Ph衬底外延加工前，需要对超重掺Ph衬底外延生长系统进行腐蚀和基座包硅处理，并且需要对超重掺Ph衬底表面进行前抛光HCL处理，去除超重掺Ph衬底表面残留的局部瑕疵和不平整处；S2、其次需要进行实时调节衬底外延生长时超重掺Ph衬底外延生长系统的温度，使得超重掺Ph衬底外延加工过程始终保持低温环境，在超重掺Ph衬底外延生长时，CAP层生长和外延层生长使用相同的掺杂工。本发明采用低温外延减弱超重掺Ph衬底外延自掺杂效应，使超重掺Ph衬底外延边缘平坦区深度与中心和R/2位置相当，解决了外延长膜边缘平坦区有效深度减小的问题。