一种高浓度壬二酸乳膏及其制备工艺

摘要

本发明涉及C07C51/285领域，尤其涉及一种高浓度壬二酸乳膏及其制备工艺，制备原料包括：A相、B相、C相；A相的制备原料包括：溶剂；B相的制备原料包括：聚醚基硅聚合物；C相的制备原料包括：壬二酸。本发明所制备的乳膏壬二酸含量高达20wt％，在此浓度下，达到了现有技术中现有的高稳定性，在45℃和‑10℃环境中30天保持稳定，无沙砾感和破乳现象。