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公开/公告号CN115443511A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-12-06
原文格式PDF
申请/专利权人 日东电工株式会社;
申请/专利号CN202180029837.7
发明设计人 藤野望;鸦田泰介;
申请日2021-03-18
分类号H01B5/14;H01L31/0224;H01B5/16;H01Q1/38;H05K9/00;B32B7/023;B32B7/025;G06F3/041;
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇;李茂家
地址 日本大阪府
入库时间 2023-06-19 17:51:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-06
公开
国际专利申请公布
机译: 带透光性基板的透明导电层,带透光性基板的透光性基板的制造方法以及使用该透明导电层的透光性基板的一体型薄膜光电转换装置
机译: 制作透光性导电膜和透光性导电膜的方法,以及构成透光性导电膜的触控面板
机译: 可视化透光性导电膜的分析方法及透光性导电膜
机译:磁导电六铁氧体薄膜在氧化物导电层上的生长,适用于低压应用
机译:通过单壁碳纳米管和导电聚合物的逐层组装制备的透明导电杂化薄膜
机译:硅薄膜太阳能电池的透明导电氧化物/ Si界面处的高导电GaN减反射层
机译:用于薄膜晶体管的银和绝缘层的导电层的湿法和绝缘层Al 2 IM> O 3 INF>
机译:用于超导电子的hall钡钙铜氧化物薄膜:前体性能,沉积机理,相形成和通过金属有机化学气相沉积形成的三层结构。
机译:通过原子层沉积与透明导电氧化物基板集成的氮化钽薄膜用于光电化学水分解
机译:将SnO2缓冲层沉积到用于薄膜太阳能电池技术的商业导电玻璃上
机译:新型导电聚合物的合成:在定义表面上导电Langmuir-Blodgett薄膜和导电聚合物