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公开/公告号CN115394874A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-25
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏大学;
申请/专利号CN202211150248.7
发明设计人 王权;孔存巍;张琳;
申请日2022-09-21
分类号H01L31/113;H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/032;H01L31/0352;G01J1/42;
代理机构南京智造力知识产权代理有限公司;
代理人田玉菲
地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号
入库时间 2023-06-19 17:45:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-25
公开
发明专利申请公布
机译: 使用自组装二嵌段共聚物和二维金/钛纳米粉及其制备的金/钛氧化物复合纳米结构的制备方法,可以制备含金/钛氧化物复合氧化物的纳米复合物
机译: 包含溶液处理的无机本体纳米异质结的光伏纳米复合材料,包含该纳米复合材料的太阳能电池和光电二极管器件
机译: 含溶液的光伏纳米复合材料,由无机大分子纳米异质结,太阳能电池和光电二极管组成
机译:二硫化钼(MOS2)纳米瓶α-钨三氧化钨(WO3)纳米峰阵列复合异质结的制备及超级电容性质:一维和二维纳米材料的协同作用
机译:基于BiOBr / TiO_2纳米管阵列p-n异质结纳米复合材料的高灵敏光电化学检测葡萄糖
机译:Cu2O纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列增强异质结复合材料的可见光电化学性能
机译:/ In2O3 / TiO2纳米管阵列复合异质结半导体的制备和光电流响应性能研究
机译:制备的Bi2O3 / TiO2异质结纳米复合材料用于降解反渗透浓缩液。
机译:ZnO @ MoS2纳米复合异质结阵列的制备及其光电性能
机译:pN-异质结控制的低暗电流,高电流增益的pVK / ZnO纳米粒子复合材料紫外光电探测器
机译:Cu2O / TiO2纳米管异质结阵列的制备及其光电化学行为研究。