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摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
1.1 石墨烯与类石墨烯二维材料
1.2 过渡金属硫族化合物（Transition metal dichalcogenides）
1.3 范德瓦尔斯异质结
1.4 本论文的研究内容及意义
1.4.1 IVB-VIA以及VIIB-VIA过渡金属硫族化合物的研究现状
1.4.2 本文的创新性和意义
第二章 理论计算方法
2.1 第一性原理计算（First-principle calculation）方法介绍
2.2 多粒子体系的薛定谔方程
2.3 玻恩-奥本海默近似（Born–Oppenheimer approximation）
2.4 密度泛函理论（Density functional theory）简介
2.4.1 奥昂贝格-科恩理论 （Hohenberg–Kohn theorems）
2.4.2 科恩-沈吕九方程（Kohn–Sham equations）
2.4.3 交换关联泛函（Exchange-Correlation Functional）
2.5 Vienna Ab initio Simulation Package简介
2.6 本文主要计算内容
2.6.1 多粒子体系的电荷密度
2.6.2 有关多粒子体系光学介电函数
2.6.3 计算方法验证
2.7 本章小结
第三章 IVB-VIA族过渡金属硫族化合物的光电特性
3.1 引言
3.2 计算方法
3.3 计算结果与相关讨论
3.3.1 IVB-VIA族过渡金属硫族化合物的基态结构
3.3.2 IVB-VIA族过渡金属硫族化合物的电子特性
3.3.3 IVB-VIA族过渡金属硫族化合物的光学介电特性
3.4 本章小结
第四章 具有柔性、面内各向异性特征的过渡金属硫族化合物MX2 (M = Tc, Re; X = S, Se)的光电性质
4.1. 引言
4.2. 理论计算方法与参数设置
4.3. 理论计算结果与讨论
4.3.1 VIIB-VIA二维过渡金属硫族化合物的机械特性
4.3.2 VIIB-VIA二维过渡金属硫族化合物最优晶格参数的选定
4.3.3 VIIB-VIA二维过渡金属硫族化合物的电子结构
4.3.4 VIIB-VIA二维过渡金属硫族化合物单层结构的光学介电特性
4.4. 本章小结
第五章 过渡金属二硫化物MX2 (M = Tc, Re; X = S, Se)及过渡金属三硫化物MX3 (M = Zr, Hf; X = S, Se)异质结界面的能带排列特征与应用
5.1 引言
5.2 计算方法与参数设置
5.3 计算结果与讨论
5.3.1 研究体系的晶体结构及稳定性
5.3.2 不同材料之间的能带排列特征
5.3.3 利用两类过渡金属硫族化合物分别形成的第二类异质结的电子结构特征
5.3.4 两类过渡金属硫族化合物形成的异质结的光能转化效率
5.4 本章小结
总结与展望
参考文献
附录
1. 克莱默-克罗尼克关系式（Kramers-Kronig transformation）的MATLAB程序
2. VIIB-VIA过渡金属硫族化合物的弹性常数矩阵
3. VIIB-VIA过渡金属硫族化合物弹性模量的求解
致谢
攻读博士学位期间取得的科研成果
1. 发表学术论文
2. 参与科研项目及科研获奖
作者简介
1. 基本情况
2. 教育背景
3. 攻读博士学位期间的其它奖励
