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一种半导体芯片组的测试方法、半导体芯片组及测量装置

摘要

本公开实施例提供了一种半导体芯片组的测试方法、半导体芯片组及测量装置,其中,测试方法包括:半导体芯片组包括键合的n个芯片及位于n个芯片之间的键合界面,键合界面包括待测界面,n个芯片包括位于待测界面上的待测芯片i,其中,1≤i≤n,待测芯片i相对于其他芯片在平行于键合界面的方向上偏移预设尺寸;量测待测芯片i的厚度,得到量测结果t;量测待测界面的键合面积,得到量测结果S;沿垂直于键合界面的方向对待测芯片i施加推力F,以使待测芯片i在待测界面处产生裂纹;测定推力作用点和其他芯片之间的垂直距离la,及测定待测芯片i的裂纹长度a;基于上述方法获得的至少部分参数确定待测界面的键合能Gc。

著录项

  • 公开/公告号CN115394674A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;

    申请/专利号CN202211027954.2

  • 发明设计人 毛宇;

    申请日2022-08-25

  • 分类号H01L21/66;H01L23/544;

  • 代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司;

  • 代理人王花丽;王黎延

  • 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

  • 入库时间 2023-06-19 17:45:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-25

    公开

    发明专利申请公布

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