氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底以及抑制位错向氮化铝生长层引入的方法

摘要

本发明要解决的问题是提供一种能够抑制位错向氮化铝生长层引入的新颖技术。解决上述问题的本发明是一种氮化铝衬底的制造方法，包括去除碳化硅衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤和在形成有所述图案的所述碳化硅衬底上形成氮化铝生长层的晶体生长步骤。此外，本发明是一种抑制位错向氮化铝生长层引入的方法，包括在碳化硅衬底上形成氮化铝生长层之前去除所述碳化硅衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤。