低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法

摘要

本发明提供了一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，分别形成第一掩蔽层、第二掩蔽层、多晶硅源区、第一夹断区以及第二夹断区；重新形成阻挡层，并对阻挡层和第一掩蔽层蚀刻形成栅极区，氧化栅极区，形成栅极绝缘层；淀积形成栅极多晶硅层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成源区金属通孔；通过源区金属通孔对多晶硅源区淀积，形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻栅极金属淀通孔，淀积形成栅极金属层；清除阻挡层，在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，降低源极到漏极的体二极管压降。