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FCBGA基板的半加成工艺方法

摘要

本发明提供一种FCBGA基板的半加成工艺方法,涉及封装基板制造技术领域。该方法包括:步骤S1,在封装基板的内层线路表面,依次压合ABF层和铜箔;步骤S2,将压合后的ABF层置于烘箱中烘烤,以完成预固化;步骤S3,对预固化的ABF层进行真空加温加压,使ABF层完全固化;步骤S4,去除铜箔,在完全固化的ABF层上制造外层线路;步骤S5,重复上述步骤S1~S4,形成多层线路封装基板。本发明可以解决大铜皮爆板的技术问题,保证基板的可靠性,减小工艺限制,提高设计自由度,降低工艺窗口,提高良率,以及降低基板翘曲。

著录项

  • 公开/公告号CN115361795A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-11-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN202211022518.6

  • 发明设计人 于中尧;杨芳;

    申请日2022-08-24

  • 分类号H05K3/10;H05K3/46;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人王文思

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-06-19 17:38:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-18

    公开

    发明专利申请公布

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