公开/公告号CN115357521A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-18
原文格式PDF
申请/专利权人 山东华芯半导体有限公司;
申请/专利号CN202210956457.4
申请日2022-08-10
分类号G06F12/02;G11C16/34;
代理机构济南泉城专利商标事务所;
代理人赵玉凤
地址 250101 山东省济南市高新区经十东路汉峪金谷A2-3第16层1601室
入库时间 2023-06-19 17:38:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-18
公开
发明专利申请公布
机译: 包括具有同时刷新和读或写的动态随机存取存储器(DRAM)的电路,以及在该存储器中执行同时刷新和读或写的方法
机译: 包括具有同时刷新和读或写的动态随机存取存储器(DRAM)的电路,以及在该存储器中执行同时刷新和读或写的方法
机译: 作为源自动态存储器的自ebikushiyon规避空NAND闪存中的方法