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原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法

摘要

本发明提供原子层沉积法用薄膜形成用原料,其含有由下述式(1)表示的化合物。(式中,R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数1~5的烷基,L表示下述式(L‑1)或者(L‑2)表示的基团,M表示铟原子或镓原子。)(式中,R11~R12各自独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1~5的烷基或碳原子数1~5的烷氧基,*表示与式(1)中的M的键合位置。)(式中,R21~R23各自独立地表示氢原子、氟原子或碳原子数1~5的烷基,*表示与式(1)中的M的键合位置。但是,R21与R22为不同的基团)。

著录项

  • 公开/公告号CN115362282A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-11-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社ADEKA;

    申请/专利号CN202180025691.9

  • 发明设计人 武田圭介;远津正挥;

    申请日2021-03-18

  • 分类号C23C16/455;C23C16/40;H01L21/316;

  • 代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司;

  • 代理人贾成功

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-06-19 17:38:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-18

    公开

    国际专利申请公布

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