公开/公告号CN115362282A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-18
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社ADEKA;
申请/专利号CN202180025691.9
申请日2021-03-18
分类号C23C16/455;C23C16/40;H01L21/316;
代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人贾成功
地址 日本东京
入库时间 2023-06-19 17:38:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-18
公开
国际专利申请公布
机译: 用原子层沉积法将氧化物薄膜浸入到卤化物中的卤化物掺杂源,制造卤剂掺杂物的方法,使用原子沉积法沉积到材料上的氧化物,用原子沉积法沉积的氧化膜,用原子方法沉积的薄膜用卤化物氧化薄膜
机译: 原料薄膜形成原子层沉积法,薄膜形成原料,薄膜制造方法和化合物
机译: 原子层沉积法用卤化物元素部分掺杂氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制造卤素掺杂源的方法,使用卤化物掺杂源部分掺杂氧化物的薄膜和原子层沉积膜的方法掺杂有方法