国产SRIO交换芯片电流倒灌导致下电不充分处理方法

摘要

本发明公开了一种国产SRIO交换芯片电流倒灌导致下电不充分处理方法，属于国产芯片应用领域，包括步骤：针对国产SRIO交换芯片，优化其上下电流程：在上电过程中先拉低控制管脚电平，上完电后再拉高相应控制管脚；在下电过程中先拉低控制管脚电平，再控制电源芯片拉低3.3V。本发明保证了NMS1800芯片上下电流程后能正常工作，同时没有倒灌电流的存在，也减小了电路上的无用功耗，保证了设计的低功耗要求。