一种基于缺陷光子晶体中合成角度GH位移的病理切片检测结构及检测方法

摘要

本发明涉及一种基于缺陷光子晶体中合成角度GH位移的病理切片检测结构，可表示为D(AB)NC(BA)N，其中N为光子晶体的周期数，A、B分别为折射率不同的电介质薄片，C为待测折射率的病理切片，D为半球形电介质光波导。本发明还提供一种基于缺陷光子晶体中合成角度GH位移的病理切片检测方法，将两个不同入射角度测得的角度GH位移数据相加，得到一组灵敏度和线性度均较好且检测范围更宽的合成角度GH位移曲线，根据合成角度GH位移与切片折射率实部的正比关系得到切片的折射率实部，从而提高病理切片折射率检测的准确度。本发明所述检测结构及检测方法不仅检测速度快、操作简单，而且不会损坏病理切片，便于大规模生产和应用。