提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法

摘要

本公开提供了一种提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的n型层、发光层和p型层；发光层包括多个InGaN量子阱层、多个n型GaN量子垒层和一个复合量子垒层，多个InGaN量子阱层和多个n型GaN量子垒层交替层叠，复合量子垒层位于最靠近p型层的InGaN量子阱层上，复合量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，第一子层和第五子层均为GaN层，第二子层为AlN层，第三子层为AlxGa1‑xN层，0.02≤x≤0.08，第四子层为InN层。本公开实施例能提高电子空穴复合效率，提升发光二极管的发光效率。