集成电路引线框架热处理方法及引线框架

摘要

本发明公开了集成电路引线框架热处理方法及引线框架，涉及集成电路封装技术领域。用以解决现有引线框架因引脚高度不一以及引脚位置难以确定而导致后续工艺稳定性低的问题。处理方法包括：将冲压完成的初始引线框架放置在脱脂炉内进行脱脂；脱脂后的所述初始引线框架放置到加热炉内加热60～90秒，所述加热炉的温度为380℃～460℃；加热后的所述初始引线框架放置到水冷设备冷却60～90秒，得到集成电路引线框架，所述水冷设备的温度为8℃～15℃。