退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN115196960A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-18
原文格式PDF
申请/专利权人 北京科技大学;
申请/专利号CN202210745912.6
发明设计人 刘辉;孙正;罗华杰;陈骏;
申请日2022-06-29
分类号C04B35/475;C04B35/622;C04B41/87;
代理机构北京市广友专利事务所有限责任公司;
代理人张仲波
地址 100083 北京市海淀区学院路30号
入库时间 2023-06-19 17:14:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-18
公开
发明专利申请公布
机译: 具有高介电性能的无铅薄钙钛矿钛酸铋钠(NABITIO)薄膜的制备方法
机译: 制造具有高介电常数和低漏电流密度的钛酸锶基介电层的方法及制造包括基于钛酸锶的介电层的电容器的方法
机译: 含钛钛酸铋铁材料的残留极化值高,介电损耗性能低,耐疲劳性强
机译:Ba,Sr改性锆钛酸铅钛酸锡锡酸盐反铁电陶瓷的高储能密度性能
机译:钛酸铋钠基钙钛矿的同时大热释电响应和高去极化温度
机译:一种新型无铅和高性能钡锶钛酸锶基薄膜电容,具有超高储能密度和巨型功率密度
机译:钛酸铋基铁电陶瓷的压电弛豫
机译:含少量B-位添加剂的铋钠钛氧化物基铁电陶瓷的制备和性能。
机译:钛酸铋钠基无铅陶瓷在宽温度范围内的高储能密度
机译:具有反铁电相和铁电相共存的高织构(111)取向的Pb0.8Ba0.2ZrO3弛豫薄膜中的大储能密度和高热稳定性
机译:由乙酸酯前体制备的铁电薄膜钛酸铋