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基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法及系统

摘要

本发明提供了一种基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法及系统,属于模拟仿真技术领域。所述方法包括:获取单个入射粒子辐照半导体器件产生的PKA的数量;对所述半导体器件进行网格划分,获取每个网格中所述初PKA的数量,建立与所述网格等大小的仿真体系模型;基于所述仿真体系模型,利用分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法对所述网格进行缺陷演化模拟,并获取所述入射粒子标定注量率下所述网格中的缺陷信息;对所有所述网格中的缺陷信息进行汇总,得到所述半导体器件的综合缺陷信息。本发明结合分子动力学和动力学蒙特卡罗方法,实现在不同注量率下整个半导体器件的缺陷演化过程的模拟计算,且计算逻辑清晰,步骤简单易操作。

著录项

  • 公开/公告号CN115169207A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-10-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN202210762692.8

  • 申请日2022-06-30

  • 分类号G06F30/25;G06F17/18;G06F119/14;G06F111/10;G06F113/26;

  • 代理机构北京隆源天恒知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁晴晴

  • 地址 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-06-19 17:06:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-11

    公开

    发明专利申请公布

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