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一种基于功率损耗数学模型及有限元方法的IGBT模块寿命预测方法

摘要

本发明公开了一种基于功率损耗数学模型及有限元方法的IGBT模块寿命预测方法,通过建立IGBT的功率损耗数学模型,计算获得模块功率损耗,借助有限元仿真软件,迭代计算获得芯片结温,进一步获得IGBT模块的整体热应力分布,最后导入nCodeDesignlife软件,实现IGBT模块的寿命预测计算。本发明基于数学解析及有限元仿真的方法,验证过程借助有限元软件完成,而不需要改变或破坏相应器件的内部结构,从而对人力物力的消耗较小。

著录项

  • 公开/公告号CN115081268A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京化工大学;

    申请/专利号CN202210559152.X

  • 发明设计人 王维民;高黎明;户东方;

    申请日2022-05-22

  • 分类号G06F30/23;G06F119/04;G06F119/08;

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人王兆波

  • 地址 100029 北京市朝阳区北三环东路15号

  • 入库时间 2023-06-19 16:53:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-20

    公开

    发明专利申请公布

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