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mos版图及应用其的mos管单元及功率mos管

摘要

本发明公开了一种mos板图,以及其应用的mos管单元及功率mos管;版图方面,根据版图规则设计版图,包括有衬底层、源漏层、栅极层和金属层;其中,源漏层包括有长条和短条,栅极层与长条的形成并联单元,长条上形成多个第一漏极和第一源极,且相邻设置的第一源极和第二漏极合并为同一位置;栅极层与短条形成串联单元,短条上形成多个依次排列的第二漏极、串联点和第二源极,且相邻设置的第二源极和第二漏极合并为同一位置;长条以及的短条在形成源极和漏极时,漏极和源极的漏极可以理解为重叠共同设置,使得该位置即作为漏极亦可作为下个mos的源极,进而减少了版图设计的面积。

著录项

  • 公开/公告号CN115084128A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市尚鼎芯科技有限公司;

    申请/专利号CN202210591932.2

  • 发明设计人 刘道国;

    申请日2022-05-27

  • 分类号H01L27/02;H01L29/08;H01L29/78;

  • 代理机构深圳市知高达专利代理有限公司;

  • 代理人刘琴

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区留新四街万科云城三期C区八栋A座3301房3302房

  • 入库时间 2023-06-19 16:53:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-20

    公开

    发明专利申请公布

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