公开/公告号CN115084128A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-09-20
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市尚鼎芯科技有限公司;
申请/专利号CN202210591932.2
发明设计人 刘道国;
申请日2022-05-27
分类号H01L27/02;H01L29/08;H01L29/78;
代理机构深圳市知高达专利代理有限公司;
代理人刘琴
地址 518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区留新四街万科云城三期C区八栋A座3301房3302房
入库时间 2023-06-19 16:53:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-20
公开
发明专利申请公布
机译: 通过高密度MOS管芯功率单元的生产方式和这种方式生产高密度MOS管芯功率单元
机译: N和MOS功率单元为空,可以用作P通道的MOS晶体管
机译: 带有四个模块段的功率单元-具有用于安装sip-MOS功率晶体管的基础元件和包括驱动电子设备的混合段