具有多维耦合分压机制的匀场低阻器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有多维耦合分压机制的匀场低阻器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、第四介质氧化层，浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，第一层金属条、第二层金属条；第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，第一层金属条、第二层金属条和第四介质氧化层构成表面固定介质电容，本发明用表面介质固定电容耦合分压方式代替了体内半导体可变电容耦合分压方式，解决了器件耗尽不连续，分压不均匀的问题，使器件具有更高的击穿电压。