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调压式半导体晶片冷却装置和方法以及调压装置

摘要

公开一种半导体晶片冷却系统和方法以及一种用于减轻半导体晶片调节回路中的压力增加的调压装置。所述调压装置包括:缓冲容器,所述缓冲容器包括入口和出口通道;其中所述入口通道被配置成在操作中与所述半导体晶片调节回路的较高压位置流体连通,并且所述出口通道被配置成在操作中与较低压位置流体连通。所述入口通道包括压力控制阀,所述压力控制阀被配置成在正常操作期间关闭所述入口通道,使得所述缓冲容器与所述调节回路的所述较高压位置隔离并响应于所述半导体调节回路内的压力上升到预先确定的水平以上打开所述入口通道。

著录项

  • 公开/公告号CN115053334A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱德华兹真空泵有限责任公司;

    申请/专利号CN202180014485.8

  • 发明设计人 K·卡尔;

    申请日2021-02-10

  • 分类号H01L21/67;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人邹龙辉;张一舟

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2023-06-19 16:47:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-13

    公开

    国际专利申请公布

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