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一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法及接长装置

摘要

本发明涉及碳化硅单晶技术领域,特别涉及一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法及接长装置。一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法,包括:在真空环境下,控制籽晶向液体生长原料移动;监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料的力;在监测到所述籽晶受到所述生长原料的力时,停止所述籽晶的移动,以使在所述籽晶和所述生长原料的界面生长碳化硅单晶。本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法及接长装置,能够提供一种精确判定籽晶是否刚好与液面接触的接长方法及接长装置。

著录项

  • 公开/公告号CN115029781A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京晶格领域半导体有限公司;

    申请/专利号CN202210903128.3

  • 发明设计人 张泽盛;张广宇;

    申请日2022-07-29

  • 分类号C30B29/36;C30B7/00;

  • 代理机构北京格允知识产权代理有限公司;

  • 代理人王文雅

  • 地址 101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义区临空二路1号

  • 入库时间 2023-06-19 16:46:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-09

    公开

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