用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法

摘要

本发明涉及忆阻器技术领域，公开了一种用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法，其中，功能层包括二维电介质层，所述二维电介质层引入有相应的空位缺陷。使用本发明的功能层使得表征忆阻器性能的开关比更大，而且制作得到的忆阻器器件不需要和现有技术一样需要在开始阶段先施加一个较大电压的初始化操作来诱导金属电极形成导电细丝，也有利于降低器件工作设置过程所需要的电压，降低功耗。