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公开/公告号CN114934262A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-08-23
原文格式PDF
申请/专利权人 西安热工研究院有限公司;
申请/专利号CN202210678132.4
发明设计人 崔锦文;张磊;杨哲一;崔雄华;王弘喆;
申请日2022-06-16
分类号C23C14/35;C23C14/34;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/18;
代理机构苏州国诚专利代理有限公司;
代理人杨淑霞
地址 710003 陕西省西安市碑林区兴庆路136号
入库时间 2023-06-19 16:30:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-09
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 专利申请号:2022106781324 申请日:20220616
实质审查的生效
机译: 制备具有低发射率和亲水性的多层薄膜涂料的方法和采用同一方法制备多层薄膜涂料的方法
机译: 一种包含在低发射率薄膜涂层中用超快激光处理的含银层的涂层制品,和/或其制备方法。
机译: 多层非晶铟镓锌氧化物薄膜结构的低发射率薄膜及其制造方法
机译:珍珠母仿生设计-一种制备低红外发射率复合涂层的可能方法
机译:低红外发射率的光学活性聚氨酯/ TiO_2 / MnO_2多层纳米棒的制备
机译:光学活性SiO_2 / TiO_2 /聚乙炔多层纳米球:低红外发射率的制备,表征和应用
机译:一种制备低应力金属薄膜的方法
机译:制备多层立方氮化硼薄膜和类sp(3)氮化硼薄膜的各种制造方法的研究。
机译:高光谱热红外数据的温度和发射率分离的改进的线性光谱发射率约束方法
机译:一种用于在低温下具有低,未知和/或可变发射率的薄膜材料的红外温度测量的方法
机译:多层热电薄膜的溅射沉积:制备二维量子阱的方法