公开/公告号CN114934317A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-08-23
原文格式PDF
申请/专利权人 北京智创芯源科技有限公司;
申请/专利号CN202210652106.4
发明设计人 不公告发明人;
申请日2022-06-10
分类号C30B29/48;C30B19/06;C30B19/00;
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人万双艳
地址 100095 北京市北京经济技术开发区经海三路106号1幢一层
入库时间 2023-06-19 16:30:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-09
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/48 专利申请号:2022106521064 申请日:20220610
实质审查的生效
机译: 单晶碳化硅的液相外延生长方法。单元和单晶碳化硅的液相外延生长方法。
机译: 单晶碳化硅的液相外延生长方法。单元和单晶碳化硅的液相外延生长方法。
机译: 用于制造液相外延生长合金的工具和使用该方法的液相外延生长方法