一种宽温低损耗NiZn软磁铁氧体材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种宽温低损耗NiZn软磁铁氧体材料及其制备方法，以质量百分数计，所述宽温低损耗NiZn软磁铁氧体材料中含有：Fe2O3:65.25wt％～68.55wt％；ZnO:18.24wt％～19.84wt％；NiO:11.61wt％～16.51wt％；Y2O3:0.10wt％～0.35wt％；Nb2O5:0.15wt％～0.45wt％；V2O5:0.15wt％～0.25wt％；MnCO3:0.25wt％～0.35wt％。本发明宽温低损耗NiZn软磁铁氧体材料能在‑85℃～230℃的宽温范围内工作，在0.01MHz～5MHz频率区间，初始磁导率μi为509～641，比损耗系数tgδ/μi仅为16.78×10‑6，饱和磁通密度Bs≥393mT，矫顽力Hc＜123A/m，居里温度Tc＞230，且其还具有工作频率高、高频损耗小的特点。因此，本发明宽温低损耗NiZn软磁铁氧体材料不仅具有高的初始磁导率和高的饱和磁通密度，而且还具备更宽的工作温度及更低的损耗。