适用500 kHz高磁通密度的宽温低损耗MnZn铁氧体

摘要

采用传统的氧化物陶瓷工艺制备了一种可应用于500 k H z以上的频率,在较高的磁通密度和较宽温度范围内具有低损耗的M nZn功率铁氧体.调整主成分中Fe2 O3的摩尔分数,改变Fe2+/Co2+摩尔分数的比例,并优化添加剂SiO2-CaCO3的摩尔分数比例.优化Fe2+/Co2+摩尔分数的比例使得铁氧体损耗温度稳定性良好,SiO2与CaCO3在晶界处形成高电阻层,增加了材料的电阻率,降低了涡流损耗.制备的MnZn功率铁氧体在500 kHz,100 mT的测试条件下,功率损耗Pcv在10～120℃的宽温范围内都小于600 kW/m3.25,80,100℃的Pcv分别为306,345,413 kW/m3,均远低于目前为止有报道的数值.