OLED显示器的制备方法及OLED显示器、显示装置

摘要

本发明涉及一种OLED显示器的制备方法及OLED显示器、显示装置，该OLED显示器的制备方法包括：在基板上的透光区沉积磁性金属层后，再在基板上沉积第一功能性膜层；刻蚀透光区的第一功能性膜层形成孔后，在基板上沉积第二功能性膜层；采用磁性吸附的方式去除磁性金属层，同时除去磁性金属层上方的第二功能性膜层和残留的第一功能性膜层。

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种OLED显示器的制备方法及OLED显示器、显示装置。

背景技术

随着显示技术的快速发展和消费者对手机高屏占比的追求，屏下摄像头技术受到广泛关注，目前该技术主要应用在带有钻孔的显示器中，具体表现为在与摄像头的相对应的屏下区域设置通孔或者盲孔，其中，通孔的孔边缘与有效显示区边缘的间距较大，光线透过率较低，造成拍照效果较差且成本较高，而盲孔的孔边缘与有效显示区边缘的间距较小，光线透过率更高，拍照效果更佳，且省去了钻孔的成本。然而，盲孔内的有机材料、阴极等材料会影响盲孔的透过率和进光量，现有的处理方式是通过激光烧结去除盲孔内多余的有机材料，但这种方式并不能将所有多余的有机材料全部除尽，在孔与走线层之间会残留部分有机材料，从而降低了盲孔的透过率和进光量，进而影响了拍照效果。

发明内容

针对现有技术中存在的技术问题，第一方面，本发明提供一种OLED显示器的制备方法，该制备方法通过磁力吸附的方式有效地去除了盲孔内的阴极层和残留的有机材料。

一种OLED显示器的制备方法，所述制备方法包括在基板上的透光区沉积磁性金属层后再在所述基板上沉积第一功能性膜层；刻蚀所述透光区的第一功能性膜层形成孔后，在所述基板上沉积第二功能性膜层；采用磁性吸附的方式去除所述磁性金属层，同时除去所述磁性金属层上方的所述第二功能性膜层和残留的所述第一功能性膜层。

进一步地，在基板的透光区沉积磁性金属层，包括：在所述基板上涂布可感光的黏合层，在所述黏合层上沉积所述磁性金属层。

进一步地，所述磁性金属层的成分包括铁、钴、镍中的一种或几种。

进一步地，所述第一功能性膜层包括缓冲层、绝缘层、平坦化层、像素定义层；所述第二功能性膜层包括阴极层。

进一步地，采用磁性吸附的方式去除所述磁性金属层，包括：使用光线对所述透光区域中的黏合层进行照射以降低所述黏合层的粘合力后，再采用带磁性设备对所述磁性金属层进行吸附。

第二方面，本发明提供一种OLED显示器，所述OLED显示器由上述制备方法制得。

进一步地，所述OLED显示器包括显示区、走线区和透光区，所述走线区围绕所述透光区分布并将所述显示区与所述透光区分隔开，其中，所述透光区的不具有功能性膜层。

进一步地，所述显示区包括所述基板、所述第一功能性膜层、所述第二功能性膜层，其中，所述第一功能性膜层由下到上依次为缓冲层、绝缘层、平坦化层、阳极层、像素定义层及支撑柱层、OLED发光层。

第三方面，本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括上述OLED显示器。

进一步地，所述OLED显示器内嵌式或者外挂式设置于所述显示装置中。

相比于现有技术，本发明的技术方案至少存在以下有益效果：本发明先在基板上的透光区沉积磁性金属层，再将功能性膜层覆盖在基板上，最后通过磁性吸附的方式除去透光区的磁性金属层，同时除去磁性金属层上方的阴极层和残留的有机材料，有效地提高了透光区的透过率和进光量，从而改善了拍照效果。

附图说明

附图对本发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制。

图1为本发明提供的OLED显示器的制备方法的流程图；

图2a-2p为一实施例提供的一种OLED显示器的制备方法的示意图；

图3为一实施例提供的OLED显示器的结构示意图。

附图标记为：

01-基板、02-可感光黏合层、03-磁性金属层、04-缓冲层、05-多晶硅层、06-第一绝缘层、07-第一栅极层、071-第一盲孔区走线层、08-第二绝缘层、09-电容上电极层、091-第二盲孔区走线层、10-第三绝缘层、11-第一过孔、12-多晶硅源漏电极层、13-平坦化层、131-第二过孔、14-OLED阳极层、15-支撑柱层、151-像素定义层、16-第三过孔、17-OLED发光层、18-OLED阴极层、19-磁性设备、20-上玻璃基板层。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

屏下透光区域的有机材料、阴极材料会影响孔的透过率和进光量，现有的处理方式是通过激光烧结去除孔内多余的有机材料，但这种方式并不能将所有多余的有机材料全部除尽，在孔与走线层之间会残留部分有机材料，鉴于此，本发明提供一种OLED显示器的制备方法，如图1所示，该制备方法包括以下步骤：

S101:在基板上的透光区沉积磁性金属层后，再在基板上沉积第一功能性膜层；

本发明的目的是通过磁性吸附的方式去除透光区中孔内的有机材料和阴极层，以提高进光量和透过率。由于基板上的功能性膜层不具备磁性，因而需要在功能性膜层中引入磁性金属层，将磁性金属层设置在需要去除的膜层下方，通过磁性设备吸附去除磁性金属层及其上方的膜层。

基板01上引入磁性金属层03的操作为：如图2a所示，先在基板01上的透光区涂布可感光黏合层02，可感光黏合层02的材质可采用丙烯酸树脂或环氧树脂等具有感光性能的材料，可感光黏合层02一方面可以粘附磁性金属层03，防止磁性金属层03在后续清洗等制程中脱落，另一方面，由于可感光黏合层02具有感光后黏合力降低的特点，在磁性吸附阶段可通过光线照射剥离，并随着磁性金属层03一同被去除。在实际生产过程中可根据实际粘附力的需要选择可感光黏合剂的种类。

再进行如图2b所示的操作，将磁性金属层03沉积在可感光黏合层02上，其中，可感光黏合层02与磁性金属层03的宽度可与后续刻蚀工艺中形成的孔的直径相同或者略大于孔的直径。磁性金属层03的材质采用铁、钴、镍中的一种或者是含有铁、钴、镍任一种的合金材料。

完成磁性金属层03的沉积后，在基板01上沉积第一功能性膜层，具体操作包括：如图2c所示，通过化学气相沉积制作氮化硅、氧化硅材料，在基板01上形成缓冲层04；随后在缓冲层04上沉积非晶硅材料，通过ELA准分子激光工艺将非晶硅转化为多晶硅，并采用光刻工艺形成多晶硅层05；

如图2d所示，在多晶硅层05上沉积氮化硅、氧化硅形成第一绝缘层06，第一绝缘层06用于作为多晶硅的栅绝缘层；在第一绝缘层06上沉积制作钼、铬、铝、铜、钛等材料，并采用光刻工艺形成第一栅极层07和第一盲孔区走线层071，第一栅极层07用于作为多晶硅晶体管的栅极；在第一栅极层07和第一盲孔区走线层071上沉积沉积氮化硅、氧化硅，形成第二绝缘层08，第二绝缘层08同时作为存储电容的介电层；

如图2e所示，在第二绝缘层08上沉积制作钼、铬、铝、铜、钛等材料，通过光刻工艺形成电容上电极层09和第二盲孔区走线层091，其中，电容上电极层09与第一栅极层07分别构成存储电容的上下两个电极；在电容上电极层09上沉积制作氮化硅、氧化硅，形成第三绝缘层10；

如图2f所示，在形成第三绝缘层10后，通过光刻工艺对过孔区域的氧化硅和氮化硅进行刻蚀，形成第一过孔11，第一过孔11用于实现多晶硅层05与多晶硅源漏电极层12的电性连接；

如图2g所示，在第一过孔11上面沉积制作钼、铬、铝、铜、钛等材料，采用光刻工艺形成多晶硅源漏电极层12；如图2h所示，在多晶硅源漏电极层12上涂布聚酰亚胺，形成平坦化层13，同时通过曝光显影形成第二过孔131，第二过孔131用于实现OLED阳极层14与多晶硅源漏电极层12的电性连接；其中，涂布聚酰亚胺时避开透光区，即在透光区不设置平坦化层13。

如图2i所示，在平坦化层13上方沉积制作ITO/AG/ITO(氧化铟锡/银/氧化铟锡)材料，并通过光刻工艺形成OLED阳极层14；如图2j所示，在OLED阳极层14上涂布聚酰亚胺材料，通过半色调掩膜版曝光、显影固化后形成像素定义层151和支撑柱层15，其中，像素定义层151用于定义OLED发光区大小。

此时，在透光区的膜层从下往上依次为：可感光黏合层02、磁性金属层03、缓冲层04、第一绝缘层06、第二绝缘层08、第三绝缘层10，虽然缓冲层04及其上方的绝缘层在透光区的位置均高于非透光区，但是由于在后续的制程中，缓冲层04及其上方的绝缘层会被全部刻蚀，因此透光区中膜层的高度增加不会影响最终形成的显示器件的性能。

S102:刻蚀透光区的第一功能性膜层形成孔后，在基板上沉积第二功能性膜层；

在基板01上完成第一功能性膜层的沉积后，需要对透光区中的第一功能性膜层进行刻蚀以形成孔，随后再在基板01上沉积第二功能性膜层，本实施例中，透光区为盲孔区，第二功能性膜层为OLED发光层17和OLED阴极层18，刻蚀形成的第三过孔16也称为盲孔，具体步骤包括：如图2k所示，通过光刻工艺，对盲孔区的缓冲层04、第一绝缘层06、第二绝缘层08和第三绝缘层10的氧化硅和氮化硅进行刻蚀形成第三过孔16，此时，盲孔区仅保留可感光黏合层02和磁性金属层03；如图2l所示，使用蒸镀掩膜版通过蒸镀的方法，在基板01上先后形成有机材料OLED发光层17和OLED阴极层18，其中，OLED发光层17处于OLED阳极层上方，OLED阴极层18的材料为镁、银合金，此时，盲孔区的膜层有可感光黏合层02、磁性金属层03和OLED阴极层18。

S103:采用磁性吸附的方式去除磁性金属层，同时除去磁性金属层上方的第二功能性膜层和残留的第一功能性膜层。

在基板01上完成功能性膜层的沉积以及刻蚀形成盲孔的步骤后，采用磁性吸附的方式去除盲孔区的膜层，如图2m所示，对盲孔区域进行紫外光光照，此时，经过紫外照射的可感光黏合层02与基板01之间的粘合性降低，然后进行如图2n所示的操作，使用磁性设备19对磁性金属层03的区域进行磁性吸附，将磁性金属层03、处于磁性金属层03下方的可感光黏合层02及磁性金属层03上面附着的残留的有机材料和OLED阴极层18一并吸附出来以去除，其中，由于蒸镀设备中具有磁铁，因而磁性吸附过程可在蒸镀设备中进行。此时，如图2o所示，盲孔区不具有功能性膜层。由于透光区与显示区之间被走线区分隔开，即透光区与显示区之间具有一定的距离，在通过磁性吸附去除透光区的膜层的操作中，可通过调整膜层释放应力的方式避免非透光区的阴极层脱落剥离以影响最终显示器件的性能。

如图2p所示，随后通过玻璃封装方法，形成OLED的上玻璃基板层20以隔绝水氧对OLED器件的影响，再对上下片贴合后的玻璃进行减薄、切割裂片、IC&FPC绑定等工艺流程，即可完成最终的钻孔有机发光显示面板。

基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种采用上述制备方法制得的OLED显示器，如图2p、图3所示，该OLED显示器包括显示区A、走线区B和透光区C，走线区B围绕透光区C分布并将显示区A与透光区C分隔开，其中，透光区C与盲孔的位置相对应，即透光区C不具有功能性膜层；显示区A具有第一功能性膜层和第二功能性膜层。

基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述OLED显示器，其中，OLED显示器可采取内嵌式或者外挂式的组装方式设置于显示装置中。

本发明提供的一种OLED显示器的制备方法，具有以下优势：本发明提供的OLED显示器制备方法工艺简单，在现有的工艺流程上增加可感光黏合层和磁性金属层，后续通过磁性吸附的方式即可除尽透光区孔内的有机材料和阴极材料，有效地提高透光区的透过率和进光量进而改善拍照效果；相对于现有的激光烧结的方式，本发明提供的磁性吸附的方式成本更低、残留物的去除效果更佳，制得产品的良品率更高；本发明提供的OLED显示器在确保显示区域正常显示的同时提高了透光区的透过率，满足了显示屏中不同区域对透光率的要求。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。