一种基于化学气相传输制备的单层CrI3薄片及方法

摘要

本发明公开了一种基于化学气相传输制备的单层CrI3薄片及方法，属于二维铁磁性材料技术领域，解决了目前制备单层CrI3时存在制备环境要求高、实验成本高、效率低和尺寸小等的技术问题。本发明公开的基于化学气相传输制备单层CrI3薄片的方法，将Cr原料、结晶碘粉末和传输剂粉末通过程序控制温度条件，制备具有大面积的单层CrI3薄片，该方法制备过程涉及材料少，操作简单，效率高，成本低，具备大规模生产的优势。通过该方法制备得到的单层CrI3薄片，面积大，纯度高，应用范围广。