一种p型GaN层的生长方法和外延结构及其生长方法

摘要

一种p型GaN层的生长方法和外延结构及其生长方法，涉及半导体材料技术领域；包括周期循环生长的本征GaN层和高掺GaN层，或低掺GaN层和高掺GaN层；所述p型GaN层的生长方法包括以下步骤：1)生长本征GaN层或低掺GaN层，生长温度为850‑950℃；2)在所述本征GaN层或低掺GaN层上生长高掺GaN层；3)在所述高掺GaN层上周期循环生长本征GaN层/低掺GaN层和高掺GaN层，得到p型GaN层。本发明的高掺GaN层为低温下通Mg源生长p‑GaN后高温退火，得到的p型GaN层能改善p型层材料的质量，有效改善了有源发光层延伸的Pits、表面粗糙等缺陷，提高Mg的激活效率，减少接触电阻。