Bi层状结构强电介质薄膜的制造方法

摘要

以Bi的有机化合物和金属聚烷氧基化合物的混合物为原料，用CVD等分子沉积法或旋转涂布-烧结法在基板表面形成Bi层状结构的强电介质薄膜的方法。在收容槽1a和1b中分别封入Sr[Ta(OC₂H₅)₆]₂和Bi(OC(CH₃)₂C₂H₅)₃。第1供给系统(1a，16a)保持在150℃，第2供给系统(1b、16b)保持在80℃，通过将载气N₂流入第1和第2供给系统，将上述二原料的蒸汽导入成膜室5内。同时，向其导入氧气，在已加热的Si基片8上使上述二蒸汽热分解。