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一种碳化硅晶片电化学机械抛光方法

摘要

一种碳化硅晶片电化学机械抛光方法,属于抛光加工技术领域。首先,将碳化硅晶片通过导电胶粘接至与电源正极连接的铜抛光头,将带通孔的聚氨酯抛光垫用树脂螺钉固定至与电源负极连接的石墨盘。抛光电源为直流稳压电源。在电机驱动下抛光垫与晶片产生相对运动,抛光时抛光垫和晶片浸入电解液,电解液液面高于抛光垫面,抛光液通过蠕动泵滴加至抛光垫表面。本发明利用碳化硅晶体在NaNO3电解液中发生的阳极氧化反应来实现碳化硅晶片的高效抛光,在抛光液中使用小粒径金刚石磨料,可起到为氧化过程提供应力源的作用,加快阳极氧化的发生,从而提高抛光效率。另外,本发明能够显著提高碳化硅晶片的抛光速率,在精抛阶段也能保证好的表面质量。

著录项

  • 公开/公告号CN114654380A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN202210358547.3

  • 申请日2022-04-07

  • 分类号B24B37/04;B24B37/10;B24B37/34;C25D11/32;H01L21/3063;H01L21/304;

  • 代理机构辽宁鸿文知识产权代理有限公司;

  • 代理人隋秀文

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2023-06-19 15:46:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-24

    公开

    发明专利申请公布

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