一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法

摘要

本发明涉及一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法，属于半导体加工技术领域，包括步骤如下：(1)晶片准备：将在砷化镓衬底上依次生长有外延层、TCL膜层、电极的LED晶片备好待用；(2)测试点制作：使用光刻胶或电极的光刻板制作掩膜图形，该掩膜图形位于整个晶片表面，使用腐蚀液将其它区域的TCL膜层腐蚀掉，并进行去胶，制作出测试点；(3)欧姆接触测试：使用测试机台扎测相邻两个测试点间的I‑V曲线，由曲线是否为直线判断该ITO与外延层间是否接触完好，验证后即可获得相应的关系信息，以得到与该验证管芯同时或者同批次制作的管芯的质量好坏，方便做出工艺或者方法的调整，以避免较大的损失，提高产品良率。