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n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片

摘要

本发明涉及n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片。本发明提供一种n型单晶硅的制造方法,其通过提拉法,从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液(9)中提拉单晶硅(10)并使其生长,所述n型单晶硅的制造方法中,使用内径为单晶硅(10)的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚(3A),进行电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅(10)的提拉。

著录项

  • 公开/公告号CN114606567A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜高股份有限公司;

    申请/专利号CN202210251415.0

  • 申请日2018-03-20

  • 分类号C30B15/04;C30B15/10;C30B15/20;C30B29/06;C30B30/04;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人梅黎

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 15:38:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-10

    公开

    发明专利申请公布

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