单晶硅晶片化学机械抛光基本特性研究

摘要

实验中利用商业抛光机对单晶硅晶片进行化学机械抛光;实验结果显示:表面粗糙度随着抛光垫和抛光头的转速以及抛光载荷的增加而减小;抛光载荷是影响总厚度变化的主要因素,晶片的总厚度变化会随着抛光载荷的增加而相应地减少;材料去除率随着抛光垫转速,抛光头转速,以及抛光载荷的增加而增加,抛光载荷的变化对材料去除率的影响最明显。