一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法，其技术方案的要点是超辐射发光二极管包括巴条，所述巴条包括从下到上依次设置的N‑GaAs衬底层、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs下包层、GaAs下波导层、In(Ga)As量子点有源区、GaAs上波导层、P‑AlGaAs上包层、P+‑GaAs欧姆接触层；所述巴条的顶面设置有与巴条中心面倾斜相交的脊型波导；所述巴条的前腔面设置有中心波长为1000nm的ZrO2增透膜涂层；所述巴条的后腔面设置有若干对中心波长为880nm的Ta2O5/SiO2高反射涂层；制造方法包括，步骤S1,外延结构生长；步骤S2,脊型波导蚀刻加工；步骤S3,电极加工；步骤S4，光学镀膜加工；本发明的超辐射发光二极管能够同时具有高功率和宽光谱的特性，能够良好的适用于OCT系统等非相干光学系统。