垂直布局MSM电容结构及其制作方法

摘要

本发明公开的一种垂直布局MSM电容结构及其制作方法，可应用于各类中小容值和小型化需求的半导体集成/封装结构中。其包括两个插入半导体介质基板的扁平金属化通槽或者盲槽，半导体介质基板特定位置制有垂直其表面，且被介质隔墙S1分隔的两个扁平金属化通槽、盲槽或者埋槽，垂直于半导体介质基板上下表面一种垂直布局MSM电容结构介质隔墙构成电容的介质层；两个相互平行的矩形通槽、盲槽或者埋槽镶嵌有构成电容体同质外延的金属电极板P1、P2，两个金属电极板通过半导体介质基板表面刻蚀的金属层微带连线，向介质隔墙S1两端延伸，形成一个从MSM电容引出端L1和L2引出的电极结构，从而形成垂直布局的MSM电容等效电路结构。