一种基于InGaN/有机异质结构光电极材料及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种基于InGaN/有机异质结构光电极材料及其制备方法与应用。该光电极材料包括Si衬底、所述Si衬底上设置的InGaN纳米柱、所述InGaN纳米柱上表面设置的有机材料层；所述有机材料层为非富勒烯材料层。本发明使用有机材料IT‑4F不仅拓宽了光电极材料的吸收光谱范围，有效钝化表面电荷复合，同时与InGaN纳米柱形成异质结构促进了电荷载流子的解离、传输及其在电极/电解液界面发生还原反应，大大提高了光电转换效率，从而有利于实现无偏压下光电化学水分解制氢，为高效利用太阳能转换为氢能提供了有效策略。