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一种具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片

摘要

本发明公开一种具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片,包括铌酸锂薄膜基体,铌酸锂薄膜基体上施划出四个区域,其中,第一区域用于成型耦合器,将输入光束分为两束输出光束后输出;第二区域用于成型光栅波导,接收输出光束并将其中的近TM0模式光束改变为近TM1模式光束;第三区域用于成型过滤功能波导,滤除光栅波导输出光束中的近TM1模式光束后得到单偏振光束;第四区域用于成型Y波导,对单偏振光束进行分束后由两个第四传输臂传输,每一第四传输臂中传输的光束经光电调制后输出。本发明提供的芯片结构能进一步缩小Y波导与耦合器连接结构的体积,实现光纤陀螺整体体积的进一步小型化,使光纤陀螺具有小体积、高集成度的优势。

著录项

  • 公开/公告号CN114527538A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京世维通科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202210225038.3

  • 发明设计人 李俊慧;王旭阳;杨德伟;

    申请日2022-03-09

  • 分类号G02B6/124;G02B6/125;G02B6/14;

  • 代理机构北京信诺创成知识产权代理有限公司;

  • 代理人任万玲;杨仁波

  • 地址 100084 北京市海淀区翠微路甲10号1幢3层307

  • 入库时间 2023-06-19 15:24:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-24

    公开

    发明专利申请公布

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