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用于控制耦合了同步整流逆向变换器的变压器的次级场效应管的电路和方法

摘要

本发明涉及一种次级FETsc控制电路,用于耦合了同步整流逆向变换器的变压器(TCSC)的FETsc。控制电路包括源极-漏极电压VSD传感触发器,一旦发生VSD正0-交叉,就会触发VSD-触发器。漏极-源极电流IDS传感触发器,一旦发生IDS正0-交叉,就会触发IDS-触发器。次级线圈电压Vsec传感触发器,一旦传感到负Vsec,就会触发Vsec-触发器。多触发栅极驱动(MTGD)具有耦合到VSD-触发器、IDS-触发器、Vsec-触发器的触发器输入端,以及驱动FETsc栅极的驱动输出端。MTGD具有状态-I,其中FETsc关闭并闩锁;状态-II,其中FETsc关闭但不闩锁;状态-III,其中FETsc开启但不闩锁。配置MTGD,以便在VSD-触发器激活时,进入状态-III;在IDS-触发器激活时,进入状态-I;在Vsec-触发器激活时,进入状态-II。因此控制电路通过多种不必要的Vsec振荡,避免了FETsc的误触发。

著录项

  • 公开/公告号CN101931315B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201010218017.6

  • 发明设计人 圣杰·哈佛纳;

    申请日2010-06-23

  • 分类号H02M1/08(20060101);H02M7/217(20060101);

  • 代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人徐雯琼;张妍

  • 地址 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园475号

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-24

    专利权的转移 IPC(主分类):H02M1/08 登记生效日:20200703 变更前: 变更后: 申请日:20100623

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-04-03

    授权

    授权

  • 2013-04-03

    授权

    授权

  • 2011-03-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M1/08 申请日:20100623

    实质审查的生效

  • 2011-03-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/08 申请日:20100623

    实质审查的生效

  • 2010-12-29

    公开

    公开

  • 2010-12-29

    公开

    公开

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